美专家称对华芯片管制高度有效，中国先进制程缺口仍存

近日，塔夫茨大学副教授克里斯·米勒在采访中指出，美国对华芯片管制已取得显著成效。数据显示，2023年中国生产的高端AI芯片仅占全球约几个百分点，绝大部分由台积电代工完成。这一局面与关键设备的获取受限密切相关。

图片展示了现代化的芯片制造车间，成排的精密设备正在运行。根据米勒的分析，中国无法获得阿斯麦（ASML）的EUV光刻机，导致7纳米及以下先进制程只能依靠DUV多重曝光工艺。这种替代方案虽然可行，但会增加工艺步骤、延长生产周期，并降低每片晶圆的可用芯片数量，从而推高成本。

面对技术封锁，中国芯片产业并未止步不前。华为推出的昇腾910C单芯片性能虽仍落后于英伟达H100，但其创新性地采用超节点技术，通过多颗芯片互联来聚合算力。此外，昇腾950DT集成了144GB高带宽内存，内存带宽达到4TB/s，展现了在特定领域的突破。

然而，中国在先进封装领域也面临挑战。虽然可以通过成熟制程晶粒拼接出高带宽组合部分绕过先进制程限制，但高性能内存（HBM）的供应仍集中在韩国和美国厂商手中。行业估算显示，2026年中国大陆半导体整体自给率约为35%，但先进逻辑（14纳米及以下）仅约15%，缺口主要落在EUV光刻机、HBM内存和先进封装三个环节。

值得注意的是，美国国会已提出《远程访问安全法案》，试图将出口管制从芯片物理流向扩展到算力远程访问。该法案已于2026年1月以369票同意、22票反对通过，目前仍在参议院审议中。这表明美国正进一步加强对中国芯片产业的技术遏制。

尽管面临重重困难，中国芯片产业仍在快速进步。英伟达CEO黄仁勋在All-In峰会上判断，中国有望在2030年实现国产先进光刻系统的突破。相比之下，蔡司半导体负责人Frank Rohmund则认为，中国要做出EUV光刻机可能还需要约15年。两种观点虽然存在分歧，但都反映出国际社会对中国芯片发展的高度关注。

当前，半导体投资和创新正从手机、PC转向数据中心、AI芯片架构和先进封装。中国企业在这些新兴领域展现出强劲竞争力，但要在高端制程上实现全面突破，仍需克服诸多技术瓶颈和供应链限制。