长鑫存储4F²架构量产落地，用垂直晶体管与混合键合绕开EUV封锁
长鑫存储通过自研4F²架构与VSG垂直晶体管，结合12英寸晶圆级混合键合工艺，在无EUV光刻机条件下实现DRAM密度提升30%–50%；已全球首发LPDDR6并...
#EUV光刻机
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长鑫存储4F²DRAM架构取得关键进展，2026年底将推融合混合键合技术的DDR5RDIMM
长鑫存储在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布4F²单元结构研发取得突破，预计2026年底推出搭载该架构并结合晶圆级混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存...
余承东详解EUV光刻机研发与华为芯片规划，逻辑折叠技术弥补制程缺口
华为常务董事余承东在国际媒体圆桌会议上透露，国内正在全力攻坚极紫外光刻机（EUV）研发，同时通过逻辑折叠等创新技术弥补先进制程工艺的不足。文章解析了华为如何在手...
国产芯片验证BSPD背部供电技术，无需EUV也能突破先进制程
在EUV光刻机受限的背景下，国内半导体企业正在攻克BSPD（Backside Power Delivery Network）背部供电技术。该技术通过将供电电路布...
美专家称对华芯片管制高度有效，中国先进制程缺口仍存
美国对华芯片出口管制被指高度有效，中国高端AI芯片主要依赖台积电代工，自给率不足15%。尽管华为等企业通过多芯片互联和先进封装技术应对，但EUV光刻机、HBM内...
AI热潮推动！阿斯麦2028年EUV光刻机产能拟超110部
受人工智能需求强劲驱动，全球光刻机龙头阿斯麦计划于2028年将极紫外光（EUV）光刻机产能提升至超过110台。作为芯片制造的核心设备，EUV光刻机的扩产将直接影...
ASMLEUV光刻机垄断地位稳固，明年产能售罄，HighNA设备需求激增
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蔡司高管预测，中国15年内或造出EUV光刻机，DUV追赶速度更快
近日，全球领先的光刻机制造商ASML的光学元件独家供应商、德国蔡司集团半导体事业负责人Frank Rohmund在接受采访时表示，中国要开发出EUV（极紫外）光...
二维半导体8英寸中试线启用
近日，国内半导体行业迎来一项重要突破：由原集微科技建设的世界首条8英寸二维半导体中试线正式启用。这一里程碑事件不仅填补了国内在二维半导体工程化领域的空白，也为我...
