英伟达或采用英特尔Foveros封装技术，AI芯片制造再添新选项

10月9日，韩国GF证券分析师Jeff Pu在一份报告中指出，英伟达可能在部分AI芯片的后端封装环节采用英特尔的Foveros三维堆叠技术。这一技术选择预计将在2028年下半年实施，与英特尔14A制程工艺的投产时间同步。这是继今年1月关于英伟达可能使用英特尔14A制程的报道后，再次传出英伟达与英特尔在芯片封装领域的合作意向。

在AI芯片制造领域，前端制程和后端封装是两个关键环节。前端制程主要决定芯片的计算能力，目前仍由台积电等先进晶圆代工厂主导；而后端封装则负责将制造完成的芯片集成到最终产品中。英特尔虽然在前端先进制程上落后于台积电，但其在后端封装技术方面具有独特优势，特别是Foveros三维堆叠技术。

Foveros技术相比英特尔现有的EMIB-T技术有显著升级。它能够实现真正的三维堆叠，将计算模块直接堆叠在基底裸片上，从而缩小芯片在水平方向上的占用面积，同时提升能效和数据传输速度。相比之下，EMIB-T技术只能将芯片水平并排放置，无法实现垂直堆叠。

对于台积电而言，英伟达采用英特尔Foveros技术可以有效缓解其在芯片封装环节的压力。当前全球AI热潮导致半导体制造产能持续紧张，英伟达作为AI芯片的主要需求方，其供应链多元化有助于分散风险。尽管如此，台积电依然是英伟达主GPU裸片的主要代工方，双方的合作关系依然紧密。

值得注意的是，英伟达对英特尔技术的选择并非首次。今年1月已有报道称，英伟达可能将英特尔的18A或14A制程用于Feynman GPU的非核心IP环节。此次分析师的报告进一步印证了这一趋势，表明英伟达正在通过后端技术多样化来优化其AI芯片的制造策略。

此外，英伟达还在探索其他先进封装技术，如玻璃基板（Glass Core Substrate）。根据集邦科技的分析，台积电计划在2028年下半年正式量产基于玻璃基板的CoPoS技术。然而，由于制造难度极高，台积电的量产计划已推迟至2028年。相比之下，英特尔早在2013年就开始研究用玻璃替代有机基板的技术，并于2023年正式发布相关路线图。

尽管英特尔在玻璃基板技术方面起步较早，但至今仍未实现全面量产。不过，该公司正在拓展MicroLED基板先进封装赛道，并与友达光电展开合作，共同开发CPO（光电共封装）及高密度算力芯片整合方案。

总体来看，英伟达采用英特尔Foveros技术的消息，反映了AI芯片制造领域对后端封装技术的高度重视。随着AI应用的快速发展，芯片制造商需要不断创新封装技术，以满足日益增长的性能需求。对于英伟达而言，通过与英特尔等合作伙伴的多元化合作，可以在确保性能的同时，优化供应链管理，降低制造风险。