俄罗斯130nm光刻机完成验收，国产化突破与制造成本650万美元

近日，俄罗斯Zelenograd Nano Technology Center（ZNTC）宣布其与白俄罗斯Planar公司联合研发的130纳米分辨率步进式光刻机已完成第三阶段设计验收工作。这一成果标志着俄罗斯在高端半导体制造设备领域取得了重要突破，为本国芯片产业的发展提供了关键支持。

根据公开信息，这款130nm分辨率光刻机由ZNTC负责整体开发、测试台和工艺台结构设计、物镜计算以及工艺建模，而Planar公司则承担了机械部件制造和零件调试等工作。设备的核心光源采用自主研发的193纳米准分子激光器，同时使用了其他国产零部件和半导体材料，以达到所需的分辨率要求。

从技术参数来看，该光刻机主要用于将集成电路拓扑图形投影到直径200毫米（8英寸）的半导体晶圆上，并在制造超大规模集成电路（VLSI）时进行多重投影复制。项目团队还制造了两台波长为193纳米的准分子激光器原型，并完成了基础工艺调试。尽管原计划于2026年3月交付第三阶段，但实际交付时间推迟至2026年8月7日，最终在当天签署了验收证书。

在成本方面，该装置的制造成本估计为5.422亿卢布（约合650万美元），其中包括两个激光器的成本分别为4900万卢布和4600万卢布。此外，整个项目的总费用超过10亿卢布，其中激光器由Lassard公司开发，费用为5亿卢布。

对于俄罗斯而言，此次130纳米分辨率光刻机原型的研发和验收具有重要意义。此前，全球能够生产此类光刻机的企业仅有荷兰ASML、日本佳能和尼康、中国上海微电子等少数几家。俄罗斯通过自主研发和国际合作的方式，成功填补了这一技术空白，为本国半导体产业的自主发展奠定了基础。

业内人士分析认为，虽然130纳米制程相比当前最先进的7纳米或5纳米工艺仍有较大差距，但对于俄罗斯来说，这已经是当前技术水平下的最优选择。特别是在国际制裁和技术封锁的背景下，能够实现如此高精度的光刻机制造，无疑是对俄罗斯科技实力的一次重要展示。

未来，随着俄罗斯半导体产业的不断发展，预计将在中低端芯片制造领域逐步建立起完整的产业链。同时，这也为俄罗斯与其他国家在半导体领域的技术合作开辟了新的可能性。