ASML、佳能、尼康同步扩产,光刻机订单排至2030年,国产EUV攻坚进入关键窗口期
全球三大光刻设备厂商ASML、佳能、尼康近期密集宣布扩产计划,客户预订单已覆盖至2028年,部分甚至咨询2029–2030年供货配额。此轮扩产由AI算力需求驱动,同时为国产光刻设备技术迭代腾出时间窗口...
全球光刻设备产业正经历一轮罕见的集体扩产潮。10月下旬,ASML在第三季度财报中披露:客户对2027年、2028年光刻机的预订单已超出公司现有扩产能力,部分核心客户甚至开始咨询2029年、2030年的远期供货配额。作为回应,ASML计划2025年将低数值孔径EUV与浸没式DUV两类主力机型产能各提升30%,并探索2027年增幅进一步突破30%的可能性。与此同时,公司已完成与主要客户的定价谈判,部分高端量产设备将正式提价,影响将于2027年起逐步显现。
紧随其后,佳能于10月21日宣布,2025年半导体光刻设备总产量最高将接近2024年的两倍;尼康则在10月13日推出数字光刻设备DSP-110,计划2027年4月发售,并明确将业务重心转向先进封装市场。三家头部厂商几乎同步释放激进产能规划,凸显行业需求的紧迫性与持续性。
这一轮扩产并非仅聚焦于最尖端的EUV领域。据ASML披露,2024年低数值孔径EUV预计交付约65台;原计划减产的浸没式DUV(如NXT:1980i)也因需求回升,被调整为维持与上年相当的交付水平。客户不仅追加新机采购,还大量选择对存量设备进行升级——ASML第三季度服务及选件收入达33亿欧元,超预期4亿欧元, 主要来自设备性能提升带来的晶圆处理量增长。
技术迭代也在同步推进。2027年初,ASML计划小批量推出NXE:3800F型号,每小时晶圆处理量从230片提升至260片; 下一代关键层浸没式DUV设备目标处理量更将达330片/小时. 对客户而言,“多买机器”与“单机提效”已成为并行的扩产策略。
需求侧的爆发源于AI算力基建的全面提速。美光10月21日确认,采用EUV的1γ工艺DRAM已进入量产,下一代1δ工艺计划2027年下半年放量;ASML预计2024年面向存储客户的设备销售额增长约75%,逻辑芯片客户增幅约10%。这背后是全球数据中心、训练集群与推理芯片制造的同步扩张,产业链需求自下游向上游传导,最终集中体现为光刻机订单的井喷。
值得注意的是,中国市场的角色正在发生结构性变化。根据多方数据交叉验证,2023至2025年间,中国每年从ASML采购光刻机金额均超60亿欧元,2024年接近90亿欧元;截至2026年一季度,中国晶圆厂累计接收浸没式DUV达343台,其中NXT:1980i占270台,占比从2022年的26%升至2024–2026年初的60%–70%。长鑫存储与长江存储等企业被曝已储备足够支撑未来三年生产的DUV设备库存。
这一“抢在关门前”的策略,使中国在美方管制过渡期内获得了宝贵缓冲期。正如塔夫茨大学教授克里斯·米勒所指出:“中国囤积了大量进口设备,把美国政客耍得团团转。”现实是:当2022年10月美国率先限制先进制程设备出口时,荷兰与日本跟进存在时间差;中国企业迅速利用窗口期完成关键设备采购,为后续国产替代争取了研发与验证周期。
在此背景下,国产光刻设备的发展路径日益清晰。余承东此前公开表示,国内科研团队与产业链伙伴正全力攻坚EUV光刻机,但现阶段量产先进芯片仍以完全实现国产化的深紫外(DUV)光刻设备为主。这并非技术停滞,而是务实推进:上海微电子已实现90nm–28nm DUV整机交付,部分模块精度达193nm波长下的亚纳米级控制;北方华创、中微公司等在刻蚀、薄膜沉积环节的国产设备市占率持续提升,2025年部分产线国产化率已超50%。
行业观察人士指出,本轮扩产周期本质是AI驱动的半导体产能扩容窗口,其双重意义在于:一方面,海外厂商扩产缓解短期供给紧张,避免制造环节成为算力瓶颈;另一方面,为国产设备提供了“边用边验、边验边改”的真实产线环境——当成熟制程芯片持续放量,国产DUV设备得以在稳定订单中完成可靠性验证与工艺适配,进而为EUV攻关积累工程经验与人才梯队。
尼康转向先进封装、佳能拓展后道光刻,也揭示了产业演进的新方向:后摩尔时代,芯片性能提升不再仅依赖晶体管微缩,而更多依靠异构集成、Chiplet与3D封装。这为非EUV路线提供了增量空间。国产厂商若能在高精度掩模对准、大尺寸基板曝光等细分领域形成突破,亦可切入价值链上游。
ASML埃因霍温新园区首期预计2029年投用; 佳能计划到2029年将先进后道光刻设备产能较2026年提升50%;尼康DSP系列已进入客户验证阶段。全球光刻产能释放将贯穿2025–2028年,而中国能否在窗口期结束前实现EUV关键子系统(光源、光学系统、精密工件台)的自主可控,将成为下一阶段竞争的核心变量。
目前,国内多个EUV攻关项目处于原理样机集成与分系统联调阶段,虽距量产仍有距离,但技术路线已明确:采用激光等离子体光源(LPP)、多层膜反射镜、六自由度工件台等主流架构。随着国家大基金三期落地与产学研协同机制深化,国产EUV的“可期”正从愿景逐步转向可量化的时间表。
光刻机扩产潮不会无限延续,但其留下的产能冗余与技术沉淀,将重塑未来五年全球半导体制造格局。对于中国而言,窗口尚未关闭,节奏仍在手中。
