SK海力士暂缓4F²推进，EUV工艺延寿6F²架构，DRAM技术路线分化加剧

SK海力士近日在2026财年第三季度业绩电话会上释放出关键战略信号：公司短期内不会急于导入4F² DRAM架构，而是选择继续深耕已量产的6F²平台，并借助EUV光刻技术为其“续命”。这一表态标志着全球DRAM厂商在下一代存储技术路径上正式走向分化。

DRAM单元面积从6F²（3F×2F）压缩至4F²（2F×2F），理论上可实现约33%的面积缩减与显著密度提升。但技术可行性不等于商业可行性。SK海力士DRAM营销负责人朴俊德指出，尽管4F²在纸面参数上优势明显，其落地仍需跨越良率、可靠性、制造成本及客户认证等多重门槛。相比之下，当前6F²架构已在量产中验证了高稳定性与成本竞争力，继续优化该平台是现阶段最有效率的选择。

图中展示了4F² VG DRAM的核心集成方案：垂直沟道（vertical channel）结合晶圆级融合键合（fusion wafer bonding），即PUC（Peri-under-cell）架构。该结构将外围电路置于存储阵列下方，是实现高密度的关键路径之一，也是通往3D DRAM的重要技术铺垫。

值得注意的是，SK海力士并非放弃4F²，而是采取“两手策略”：一方面用成熟6F²平台保障现金流与市场供应，另一方面同步推进4F²与3D DRAM的研发。公司CTO已于2025年VLSI会议上公开发布相关路线图，明确4F²为通向3D DRAM的“必经台阶”——垂直沟道晶体管、存储阵列与外围电路分离、晶圆级混合键合等关键技术，均需在4F²阶段完成验证与整合。

与SK海力士形成鲜明对比的是美光。该公司CTO斯科特·德博尔（Scott DeBoer）近期明确表示，经过20余年评估，4F²“不在路线图上”，公司将跳过该节点，直接聚焦6F²优化与3D DRAM开发。美光的理由直指核心：4F²带来的密度增益被陡增的工艺复杂度与制造成本所抵消，经济性不足。

这种策略差异并非偶然。回顾历史，美光曾在EUV导入问题上走过类似路径：2020年前后公开否认EUV计划，随后却向ASML支付预付款，最终成为三大原厂中最晚导入EUV的一家。此次对4F²说“不”，究竟是技术判断的终局，还是又一次路径修正的前奏，尚待时间检验。

另一阵营则坚定押注4F²。就在美光表态前十余天，长鑫存储总裁曹堪宇宣布将于2026年底推出采用4F²架构加VSG（Vertical Surrounding Gate）晶体管的服务器DDR5 RDIMM；三星DS部门CTO宋在爀在SEDEX 2026上被问及4F²时亦明确回应“是的”。这表明，除美光外，主流厂商仍将4F²视为不可绕过的中间环节。

技术路线分歧的背后，是现实产能与市场需求的双重压力。SK海力士2026年Q3营收达104.62万亿韩元（约合人民币5220亿元），营业利润83.33万亿韩元，营业利润率高达80%，创历史纪录。更关键的是，公司已锁定未来三年（至2029年）DRAM与HBM产能的长期销售合同，覆盖超50%产能。在此背景下，维持现有平台的稳定产出、快速响应客户需求，比冒险切换新架构更具现实意义。

与此同时，HBM产品线正成为SK海力士的新引擎。公司已于2026年Q2完成HBM4E样品出货，HBM4开发进度符合客户时间表，第四季度起将成为主力产品。高带宽内存需求持续旺盛，叠加先进制程扩产周期长（新建产线通常需2–3年），行业普遍预期供不应求格局将延续至2030年。

从产业演进角度看，4F²的本质是一场“成本-性能”权衡战。若EUV设备折旧摊销、多层光刻对准精度、新材料引入导致的良率波动等问题无法有效控制，则即便物理尺寸缩小，单位比特成本未必下降。而6F²通过EUV微缩+工艺创新（如改进字线接触、优化电容堆叠），仍可在不改变基础架构的前提下实现约15%–20%的等效微缩，性价比更具优势。

资本市场对此已有反应。美光虽在2026财年Q4创下542.3亿美元营收与87%毛利率的历史新高，股价却自6月高点回落约23%，部分原因正是市场对其技术路径可持续性的疑虑——尤其在中国厂商加速切入服务器DRAM市场后，定价权与技术代差优势面临挑战。

SK海力士的策略则更显务实：以成熟平台保基本盘,以EUV延寿争时间窗口,以并行研发布局长期棋局。这种“稳中求进”的思路，与其高企的现金储备（Q3分红14万亿韩元+回购20万亿韩元）形成呼应，反映出公司在行业景气周期高峰时的理性克制。

技术路线没有唯一正确答案，只有适配自身资源禀赋与市场节奏的选择。当美光试图用“跳级”缩短研发周期，SK海力士与三星则选择“夯实台阶”确保每一步落地。最终，哪条路径能率先实现3D DRAM的量产与盈利，将由良率爬坡速度、客户导入意愿与资本开支效率共同决定。而在那之前，6F²仍将在DRAM舞台上占据主导地位至少两到三年。