HBM价格明年或翻倍,国产份额仍不足2%,三星海力士产能虹吸效应加剧DRAM紧缺
高带宽内存(HBM)因AI需求激增持续涨价,2027年价格预计上涨80%至100%;三大原厂将超30%晶圆产能投向HBM,挤压标准DRAM供给;TrendForce预测2027年中国HBM供应商份额不...
高带宽内存(HBM)正成为本轮存储芯片周期的核心驱动力。多家机构近期一致指出,HBM价格在2027年有望上涨80%至100%,这一涨幅不仅推高整体DRAM平均售价(ASP),更通过“产能虹吸效应”系统性压缩标准DRAM供给,使存储市场紧缺格局延续至2028年。
据加拿大皇家银行资本市场(RBC Capital)研报,人工智能算力需求持续超过供给,HBM作为GPU与AI加速器的关键配套,其价格上行已具备强确定性。三季度DRAM合约价环比上涨20%,四季度预计再涨15%;而HBM的涨幅更为显著——2027年价格或接近翻倍。这一趋势得到TrendForce数据支持:三星、SK海力士与美光三大原厂HBM晶圆投片占比已从2025年底的18%升至2026年底的22%,2027年底预计达30%;但HBM位元供给仅占总DRAM位元供给约13%。
德明利副总经理兼CTO范云松解释称,生产每比特HBM所消耗的晶圆产能约为标准DRAM的三倍,原因在于芯片面积更大、3D堆叠工艺复杂,且良率损耗贯穿全程。当头部厂商将近三分之一的晶圆产能配置给仅产出八分之一位元供应的产品时,PC、手机及通用服务器所需的DDR5等标准DRAM便面临结构性短缺。“这不是需求放缓能自然弥合的缺口,而是由产品结构本身决定的。”行业人士指出。
SK海力士最新财报印证了这一判断。2026年第三季度,公司营收达104.6万亿韩元,首次突破百万亿门槛;营业利润83.3万亿韩元,营业利润率高达80%。其中,HBM4出货全面展开与服务器DDR5销售放量构成双引擎。更关键的是,公司长期供应协议已覆盖2027至2028年产能的50%以上,意味着未来两年的产能分配基本锁定,价格弹性空间被大幅压缩。
值得注意的是,本轮周期的终结机制与历史显著不同。过去存储价格高企常引发供给快速释放,随后需求方削减订单导致价格回落;而当前,头部客户早在2026年初就已启动2027年产能洽谈,长期协议大幅抬高了退出成本。野村证券认为,市场对AI投资前景的担忧属于“反应过度”,存储芯片短缺将持续至2028年,板块估值已被严重低估。KB证券甚至指出,三星电子与SK海力士当前市盈率约3倍,估值水平已接近全球金融危机时期。
在资本市场上,乐观预期已开始兑现。10月28日韩股收盘,SK海力士股价大涨近11%,三星电子涨超9%;美股市场中,SK海力士周一大涨逾4%,报142.62美元。RBC重申“跑赢大盘”评级,目标价200美元,较现价高出约40%;野村维持对两家韩厂“买入”评级,并给出67万韩元(三星)与470万韩元(SK海力士)的目标价,较近期股价有约两倍上涨空间。
与此同时,国产HBM进展缓慢,短期内难以形成实质竞争压力。TrendForce在近期研讨会上明确表示,中国HBM供应商的中期竞争风险有限。尽管长鑫存储与福建晋华持续推进产能与技术投入——前者聚焦HBM3/3e,后者专注HBM2e——但其在制造良率与技术成熟度上仍与国际领先者存在显著差距。该机构预测,到2027年,中国供应商在全球HBM市场的份额将低于2%;技术层面,与三星、SK海力士及美光已量产的HBM4/HBM4e相比,国产方案落后1至2代。
这一差距不仅体现在产品代际上,更反映在产业链协同能力。HBM需与先进封装(如TSV硅通孔、混合键合)、高端基板及测试设备深度整合,而国内在CoWoS类先进封装环节仍高度依赖台积电,上游设备如沉积、刻蚀、检测等关键节点亦未完全自主。长鑫存储虽在标准DRAM领域实现突破,但在HBM所需的高密度微凸点(micro-bump)阵列与热管理设计上,尚未有公开量产案例。
面对持续紧张的HBM供需,产业界正从多路径应对。一方面,大模型架构优化减少显存依赖,如DeepSeek V4.1采用新架构降低HBM容量占用;另一方面,内存池化方案加速落地,通过高速互联网络(如NVLink、CXL)实现HBM模组的灵活扩展与共享,提升企业级算力资源利用率。范云松强调,这些创新并非替代HBM,而是缓解短期瓶颈的过渡策略。
SK海力士在三季报中展望,短期由企业级与消费级AI驱动需求,中长期则将延伸至自动驾驶、具身智能机器人等“物理AI”场景,市场增长具备可持续性。公司同时指出,先进制程技术难度持续攀升,新建产线从规划到满产需24个月以上,叠加无尘室建设与设备交付周期长,2028年前新增产能难以显著缓解供需失衡。
投资者关注点正从单纯业绩转向股东回报。SK海力士计划派发约16万亿韩元(约合808亿元人民币)特别股息,并已完成40万亿韩元股票回购计划。强劲自由现金流为后续进一步回购或分红提供空间,也反映出管理层对行业景气度的长期信心。
综合来看,HBM已从DRAM市场的高毛利细分品类,转变为重塑整体定价机制的核心变量。其价格持续上涨不仅是需求拉动的结果,更是晶圆产能物理性挤出的必然产物。在此背景下,国产厂商虽加速追赶,但2%以内的份额预判揭示了技术爬坡的长期性。短期内,三星、SK海力士与美光仍将主导市场格局,并凭借定价权与协议绑定优势延续高盈利周期。
