存储价格趋稳模组厂暴利终结,DRAM持续紧缺NAND分化明显

2026年第三季度起DRAM与NAND Flash价格进入高原期,模组厂低价库存红利基本耗尽,毛利率回归常态;原厂控量保价策略下,DRAM供应仍紧俏,NAND则出现成熟制程松动迹象,供需结构分化加剧。

半导体/芯片

存储芯片市场的“超级周期”正步入转折点。创见董事长束崇万近日明确指出,自2026年第三季度起,DRAM与NAND Flash价格已进入高原期——继续上涨空间有限,但大幅下跌同样难以出现。这一判断标志着过去两年模组厂商依赖低价库存与快速涨价价差实现高毛利的“躺赚时代”正式落幕。

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价格趋稳的背后,是原厂策略与供需结构的深度重构。据Digitimes报道,尽管终端需求增长放缓,三星、SK海力士、美光等头部厂商仍选择通过调节出货量而非降价来维持价格体系。其现金储备充裕,盈利状况良好,宁可牺牲部分出货规模,也不愿率先打破市场平衡。客户端则因价格高企转为保守采购,仅按实际需求拉货,形成供需双方的拉锯状态。

更关键的变化在于模组厂的库存红利正在枯竭。束崇万坦言,此前支撑模组厂高毛利的低价库存已基本消化完毕,未来毛利率将逐季回落至正常水位。这意味着,从2026年下半年开始,存储模组业务将回归常规经营逻辑,不再享有价格快速上行带来的意外收益。

值得注意的是,DRAM与NAND的供需走势正加速分化。束崇万强调,NAND供货已相对稳定,但DRAM持续紧缺,2027年上半年原厂通知的供货配额仍显不足,其中DRAM短缺程度明显高于NAND。这一判断与市场数据高度吻合:集邦咨询DRAMeXchange数据显示,10月通用型DRAM(DD8Gb)合约价达27.5美元,环比上涨5.77%,较2016年6月基准价累计涨幅约9.5倍;机构预计2026年Q4 PC DRAM价格仍将环比上涨13%至18%。

价格持续走高的深层原因,在于产能配置的结构性偏移。人工智能基础设施建设成为最大变量:HBM(高带宽内存)、高容量服务器DRAM等高性能产品需求爆发,推动三星、SK海力士、美光将投资与产能资源优先向高附加值领域倾斜。传统消费级DRAM虽无显著需求增长,却因供给被压缩而被动涨价。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出,当前短缺本质是2023至2025年行业下行周期中投资收缩的滞后效应。尽管今年各大厂已纷纷宣布扩产,但新建产线从投资到量产至少需两年周期,新增产能预计要到2027年下半年才逐步释放。且这些新增投资仍将主要服务于数据中心市场,而非消费电子。

“若要使产能重新向手机存储倾斜,智能手机行业必须实现复苏。”MS Hwang补充道。然而现实是,手机市场尚未找到AI驱动的“杀手级应用”,叠加用户换机周期延长与存储成本上升,短期内难有根本性改善。

市场格局亦呈现高度集中化。2026年Q3全球DRAM营收接近2000亿美元,同比增长369%,但比特出货量仅增约4%,营收增长几乎全部来自平均售价飙升(达1.9美元/Gb)。前四大厂商合计占据约97%份额:三星38%、SK海力士29%、美光21%、中国长鑫存储9%。尽管长鑫份额较一年前翻倍,但相比2026年Q2的10%略有回落,反映出在高端市场仍面临压力。

长鑫存储已率先量产LPDDR6移动内存,但在HBM这一核心战场仍处追赶阶段。公司计划2027年量产HBM3E,而韩国厂商届时将全面迈入HBM4时代。HBM价格已开始迎头赶上,其成本可能直接转嫁至终端设备售价——这意味着,即便PC与手机用户期待内存降价,短期内也难以实现。

NAND市场则呈现更复杂的分化态势。10月数据显示,部分成熟制程NAND产品价格仍在攀升,但消费级闪存产品的涨价动力减弱,渠道端甚至出现松动迹象。这与DRAM的强势形成对比,反映不同细分市场的弹性差异:数据中心对NAND的需求虽稳中有升,但消费端受高价格抑制明显,尤其在SSD替换周期拉长背景下,需求弹性下降。

晶圆制造特写

原厂策略进一步强化了这种分化。为保障高毛利业务,厂商主动控制通用型产品供给,导致DRAM“供不应求”持续时间更长;而NAND因技术迭代路径相对清晰、产能扩张边际成本较低,部分厂商已开始向成熟制程倾斜,缓解了局部紧张。

对下游产业而言,影响已开始显现。笔记本、台式机及智能手机的内存成本持续攀升,厂商要么压缩其他部件预算,要么直接提高终端售价。部分品牌已在新品规划中预留更高BOM成本空间。与此同时,模组厂正加速转向定制化服务与供应链协同管理,以弥补硬件利润下滑——例如为OEM客户提供库存优化方案或联合开发低功耗解决方案。

值得留意的是,价格“高檔持稳”并不等于市场均衡。束崇万提到,近期已接获供应商通知,2027年上半年供货量依然有限,公司正持续协商以维持既有供应水平。这说明当前的“稳”更多是原厂主动控量的结果,而非真实供需匹配。一旦终端需求出现超预期反弹(如AI PC大规模普及),价格仍有再度上行风险。

短期来看,消费者期待的内存降价恐难兑现。模组厂暴利终结是行业理性化的必然结果,但原厂保价策略与AI需求刚性共同构成价格底部支撑。真正的拐点或将出现在2027年下半年——当新增产能落地、且手机/PC市场出现明确复苏信号时,结构性失衡才可能逐步缓解。

在此之前,存储产业链的重心将继续向高附加值环节迁移。对于国产厂商而言,通用DRAM份额提升已验证基础制造能力,下一步能否在HBM等关键节点实现突破,将决定其在下一阶段周期中的位置与话语权。