SK海力士与闪迪发布HBF标准，GPU内存扩展至TB级

近日，存储芯片领域迎来一项重要突破：全球领先的存储解决方案提供商SK海力士与闪迪共同宣布，正式发布高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个技术标准规范。这一创新性存储技术的推出，标志着存储行业在应对AI时代数据处理需求方面迈出了关键一步。

HBF技术的核心在于其独特的架构设计。根据最新发布的规范，HBF采用8层或16层NAND闪存芯片堆叠方式，最高可实现512GB的存储容量。同时，其数据传输带宽范围从0.4TB/s到3.0TB/s，分为三个性能等级，能够灵活适应不同应用场景的需求。这种设计使得HBF在保持高速数据传输能力的同时，显著提升了存储容量，完美填补了传统HBM（高带宽内存）和SSD（固态硬盘）之间的性能与容量空白。

值得注意的是，HBF采用了UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）作为其互连标准。这一选择具有深远意义：与传统的HBM依赖厂商特定接口不同，也不同于SSD通过控制器连接的方式，UCIe提供了一个开放、标准化的高速芯片互联方案。这不仅简化了HBF与各类处理器（如GPU、CPU、TPU等）的集成过程，也为未来的异构计算架构提供了更大的灵活性。

此次HBF标准的发布，是SK海力士与闪迪自去年8月启动标准化合作以来的又一重要成果。两家公司于今年2月成立了HBF联盟，经过约6个月的努力，最终完成了这一技术规范的制定。该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，确立了HBF作为行业通用开放标准的地位，而非企业私有标准。

从技术演进的角度来看，HBF的出现是对当前AI发展态势的直接回应。随着深度学习模型规模的不断扩大，AI推理过程中对内存带宽和容量的需求呈指数级增长。传统的存储架构已经难以满足这些要求，导致严重的内存瓶颈问题。HBF通过提供TB级的高速内存，有效缓解了这一问题，为AI应用的进一步发展提供了坚实的基础。

展望未来，SK海力士表示，他们计划在2026年8月于美国圣克拉拉举行的FMS（Future of Memory and Storage）会议上进一步展示HBF及相关下一代AI内存技术。这表明，HBF不仅仅是一个理论上的概念，而是即将进入实际应用阶段的重要技术。

这张示意图清晰地展示了HBF的多层堆叠结构。可以看到，HBF Core Die通过TSV（硅通孔）技术与Micro Bump连接，形成16层的Die Stack。下方的Logic Die和PHY则负责信号处理和物理接口功能，最终通过Interposer连接到Package Substrate。这种设计不仅实现了高密度的数据存储，还保证了高速的数据传输能力。