KAIST团队突破二维半导体量产瓶颈,400次生长仅3次失败,良率99.3% 韩国科学技术院(KAIST)与初创公司TDS Innovation提出“刻蚀通量介导的单一中心成核”工艺,在2cm²基底上实现400个图案位置中397个成功生长... 2026年10月12日 半导体/芯片 #二维半导体 #芯片材料 分享海报
二维半导体8英寸中试线启用 近日,国内半导体行业迎来一项重要突破:由原集微科技建设的世界首条8英寸二维半导体中试线正式启用。这一里程碑事件不仅填补了国内在二维半导体工程化领域的空白,也为我... 2026年07月11日 消费电子 #EUV光刻机 #二维半导体 分享海报