长鑫存储发布4F²DDR5RDIMM，中国DRAM技术突破冲击韩系垄断格局
长鑫存储宣布年底量产基于4F²架构的DDR5 RDIMM产品，采用自研VSG垂直环绕栅极晶体管技术，已积累超300件相关专利。此举引发资本市场对三星、SK海力士...
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