SK海力士美国建厂投超40亿，瞄准AI存储芯片HBM生产
近日，韩国半导体巨头SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）举行了先进封装生产基地的奠基仪式。根据规划，SK海力士将在当地投资超过40...
#SK海力士
共 20 篇相关文章
SK海力士拟与英特尔合作代工HBM4E基底芯片，降低成本压力
近日，存储芯片巨头SK海力士被曝出一项重大战略调整：公司正在研究与英特尔合作，由后者代工生产下一代高带宽内存（HBM）的关键组件——HBM4E的基础裸片（Bas...
高通携手三星SK海力士推进HBC架构商业化，明年首代产品商用
在人工智能算力需求激增的背景下，高通公司正加速推进其HBC（High Bandwidth Compute，高带宽计算）架构的商业化进程。透露，高通已与全球领先的...
SK海力士重启大连工厂，全球芯片博弈再升级
近日，韩国存储巨头SK海力士宣布重启位于中国大连的NAND闪存工厂，这一决定引发了全球芯片产业的广泛关注。作为全球领先的存储芯片制造商，SK海力士的选择不仅反映...
SK海力士工会否决薪资协议，双方将重新谈判
韩国半导体行业近日迎来一则重要消息：全球第二大存储芯片制造商SK海力士（SK Hynix）的工会成员投票否决了公司与其达成的2026年度工资及集体协议临时草案。...
SK海力士硅谷建定制HBM团队，瞄准英伟达AMD深化AI芯片合作
随着人工智能技术的快速发展，高性能计算对内存的需求日益增长。韩国存储厂商SK海力士近日宣布，在美国加利福尼亚州圣何塞设立专门的HBM架构设计团队，以加强与全球领...
SK海力士大连厂NAND产能扩50%，2027年月产15万片晶圆
在全球数据存储需求持续增长的背景下，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）宣布将大幅扩建其位于中国大连的NAND闪存生产基地。根据最新规划，SK海力士计划...
三星HBM4良率突破80%，AI内存市场争夺战再升级
三星电子在半导体存储器领域再次取得重要进展，其第六代高带宽内存（HBM4）芯片的生产良品率已成功突破80%，达到了业界普遍认可的“黄金良率”水平。这一成果标志着...
SK海力士54万亿韩元扩产计划曝光，存储芯片产能再升级
近日，韩国知名芯片制造商SK海力士在韩国交易所披露了一项重大投资计划，将在未来五年内斥资超过54万亿韩元用于扩大其存储芯片生产能力。这一消息引发了业界广泛关注，...
海力士Q2营业利润增557%仍不及预期，股价大跌12%
7月28日美股盘后，韩国存储芯片巨头SK海力士公布了2026年第二季度财务业绩。数据显示，期内营业利润为60.54万亿韩元（约合人民币2800亿元），较去年同期...
SK海力士暴跌近15%芯片抛售潮蔓延美股
受亚洲市场抛盘拖累，周二美股盘前半导体板块遭遇集体下挫，其中韩国存储芯片巨头SK海力士股价暴跌近15%，创下近期最大跌幅。这一抛售行情迅速蔓延至全球市场，引发亚...
韩总统访美推动三星SK海力士与美企签巨单，AI芯片需求成核心
近日，韩国总统李在明开启为期数天的美国之行，重点访问硅谷地区。透露，此行的重要成果之一是三星电子和SK海力士两大内存巨头将与美国领先科技企业签署规模庞大的合作协...