IBM与西门子联手推进NanoStack三维晶体管架构,7埃节点PDK将于2027年Q1发布
IBM与西门子宣布联合研发基于纳米片垂直堆叠的NanoStack晶体管架构,旨在突破二维缩放极限。该技术可在150平方毫米芯片上集成近1000亿晶体管,理论性能提升50%或能耗降低70%。双方将共建设...
IBM与西门子近日达成一项关键研发合作,共同推进IBM提出的NanoStack三维晶体管架构落地。这一合作并非宣布新品上市,而是聚焦于构建支撑下一代芯片设计、仿真与制造的底层工具链——在晶体管结构从二维向三维跃迁的关键阶段,软件与工艺的协同优化比单点技术突破更为紧迫。
NanoStack的核心创新在于重构晶体管物理布局:传统CMOS电路中N型与P型晶体管并排排列于同一平面,而NanoStack将其改为垂直堆叠,形成多层纳米片结构。图2清晰展示了从FinFET到Nanosheet再到Nanostack的演进路径——后者不仅在Z轴方向扩展空间,还允许不同层采用差异化材料,分别优化开关速度、漏电控制与功耗特性。IBM称其为“业界首个基于纳米片的三维晶体管设计”,并强调这标志着逻辑代工技术首次在器件层面实现2D到3D的范式转移。
今年6月,IBM已公布其7埃米(0.7纳米)节点研究成果:在150平方毫米芯片面积内可集成近1000亿个晶体管,密度约为其2纳米芯片的两倍。需注意,“0.7纳米”是技术节点命名惯例,并非单个晶体管物理尺寸;实际器件尺度仍在亚纳米量级。根据IBM论文测算,相较2纳米节点,NanoStack架构理论上可实现最高50%的性能提升,或在同等性能下降低约70%的能耗;SRAM单元面积亦可缩小约40%。这些数据源于实验室建模与仿真,尚未经过量产验证。
技术可行性已初步证实。IBM研究团队通过超薄介电键合、双沟道工程及可正常切换的CMOS反相器等实验,验证了该结构具备制造与基础运算能力。但迈向量产仍面临多重挑战:晶圆层间键合与对准精度、三维堆叠带来的热管理难题、微细布线密度提升导致的寄生效应加剧、背面供电网络集成,以及缺乏成熟的三维缺陷检测手段。正因如此,此次合作重点并非加速流片,而是搭建高保真虚拟模型体系——在真实制造前完成性能预测、设计优化与工艺风险识别。
西门子的加入补足了关键拼图。作为全球领先的工业软件供应商,其EDA工具(如Xcelerator平台)、工艺仿真引擎、光刻优化算法及先进制造执行系统,将与IBM的半导体器件物理模型深度耦合。双方计划构建一个闭环工作流:从器件级参数输入,经电路级仿真,再到光刻掩模生成与良率预测,最终反馈至结构迭代。这种“设计-制造协同优化”(DTCO)模式,已在FinFET与Nanosheet时代证明价值,而在更复杂的3D结构中,其必要性进一步凸显。
值得注意的是,IBM已明确规划技术开放节奏。据补充素材披露,公司计划于2027年第一季度发布面向7埃纳米堆叠技术的早期工艺设计套件(PDK)。该PDK并非成熟商用版本,而是包含示例性标准单元库与SRAM模块的设计起点包,旨在让无晶圆厂企业、EDA厂商及研究机构提前评估架构影响。IBM Research高级技术使能经理Jingyun Zhang指出:“我们希望邀请业界伙伴共同参与早期PDK评估,进而把这项技术编纂成可遵循的规范。”
PDK的早期开放具有战略意义。回顾历史,从平面晶体管到FinFET、再到Nanosheet的每次架构跃迁,均要求设计工具链同步重构。若等到工艺成熟才启动适配,将导致产品周期严重滞后。提前提供PDK,实则是为整个行业争取“认知窗口期”——让工程师重新建立3D布局直觉,让EDA厂商开发支持垂直互连的布线与提取算法,也让设备商针对性优化键合与散热方案。
从产业视角看,NanoStack代表“More than Moore”路线的深化:当晶体管微缩逼近物理极限,通过三维集成释放Z轴空间成为必然选择。这与先进封装中的3D Chiplet堆叠(如CoWoS-R/L)形成互补——前者在单芯片内实现器件级3D化,后者在封装层级整合多个裸片。两者共同指向同一趋势:芯片复杂度正从“平面密度竞争”转向“立体架构协同”。正如Cadence白皮书所指出,当前设计瓶颈已非“能否实现”,而是“能否在时间窗口内高效迭代”。将分析前置、多物理场联合仿真的方法论,恰恰是应对3D复杂度的关键。
需要厘清的是,IBM NanoStack与华为近期提及的“逻辑折叠”并非同类技术。后者侧重于电路级模块折叠与异构集成,而前者直接作用于晶体管本征结构。二者虽共享“利用Z轴”的思路,但实施层级与目标不同:NanoStack解决的是单颗芯片内逻辑单元的密度与能效瓶颈,属于器件物理创新;逻辑折叠则更多服务于系统级功能整合与信号延迟优化。
目前,IBM未公布具体投资金额、量产时间表或首批客户名单。其谨慎态度反映行业共识:三维晶体管尚处研发攻坚期,距离大规模生产仍有数年距离。但工具链共建已先行一步——当设计者能在虚拟环境中“看见”三维晶体管的热分布、寄生电容与电流路径时,真正的产业化便有了可预期的起点。
随着2027年PDK的发布临近,半导体生态或将迎来新一轮协同创新潮。对于依赖高性能计算、AI加速与边缘推理的领域而言,NanoStack若能如期落地,有望为算力密度与能效比提供新的增长曲线。而此次IBM与西门子的合作,本质上是在为下一轮硬件革命铺设“数字孪生”基础设施——在原子尚未精确排列之前,先让模型足够真实。
