DRAM教父高启全预警，长鑫两年后产能大量开出，将冲击全球供过于求格局

拥有‘DRAM教父’之称的兆捷科技董事长高启全，在11月10日公司上市前的媒体交流会上，对当前中国存储产业的发展态势作出深度研判。他明确指出，长鑫存储正大规模扩张产能，北京、上海等地的新建产线规模极为庞大，“两年后产能将大量开出”，届时全球DRAM市场或将面临结构性供过于求的风险。

高启全曾任南亚科技总经理、华亚科技董事长，并在英特尔与台积电担任要职，在台湾存储产业界具有深厚影响力。他特别驳斥了业内一种普遍乐观的判断——即“中国大陆产能仅供内需，不致影响全球市场”。在他看来，这仅是短期表象。即便长鑫因设备限制暂未导入EUV工艺，仍以19nm/17nm等成熟制程为主力，但一旦产能集中释放，叠加AI算力基建刚性需求趋缓，市场供需关系将迅速逆转。

这一预警并非空穴来风。根据Counterpoint Research数据，2026年第三季度全球DRAM营收同比暴涨369%，达近2000亿美元，但位元出货量仅增长约4%。市场处于典型的“价格驱动型超级周期”：平均售价（ASP）升至每Gb 1.9美元，供应商利润空间空前扩大。长鑫科技三季报显示，其前三季度营收2690.24亿元，同比增长738.51%；归母净利润1320.4亿元，毛利率高达89.53%。

然而，高增长背后隐现结构性压力。长鑫DRAM全球市占率从2026年第二季度的10%下滑至第三季度的9%，主因在于竞争对手——尤其是三星与SK海力士——自四季度起陆续推出更高溢价的HBM4产品，而长鑫尚未实现HBM4量产。尽管其DDR5、LPDDR6等主流产品已覆盖阿里云、腾讯、字节跳动、联想、小米等头部客户，且第五代工艺平台已量产、第六代完成工程样片验证, 但在高端产品节奏上仍存在代差。

值得注意的是，长鑫当前的高毛利主要依赖涨价红利，而非成本优势或技术溢价。其IDM模式虽具备协同效应，但若未来价格回调、竞争加剧，盈利动能将面临考验。2026年Q3净利润环比增速已放缓至3.01%，低于营收19.3%的环比增幅，反映出边际效益减弱的趋势。

与DRAM领域“量增价涨但份额承压”不同，高启全对NAND Flash领域的长江存储评价更为积极。他强调，自己早年参与创立的长江存储，其Xtacking架构技术已具备全球领先实力，相关专利授权甚至延伸至三星与美光。截至2026年，长江围绕Xtacking的全球专利超12800件，其中混合键合核心专利119件；2025年，三星已与长江签署3D NAND混合键合专利许可协议，自V10 NAND起正式采用该技术。

这一合作具有标志性意义：它意味着中国存储厂商的技术能力已从“可替代”升级为“被采纳”，不再局限于低端市场或国产替代场景。Omdia数据显示，2026年中国NAND市占率已达13%，DRAM达8%，合计占全球存储市场的51%，但进口依赖度仍高，国产替代空间明确且加速落地。

行业驱动力仍来自AI算力基建的刚性扩张。WSTS预计2026年全球半导体销售额达1.655万亿美元，同比增长108%；北美四大云厂商Q3资本支出同比翻倍，国内三大互联网厂商Q2资本开支增102%。SEMI预测2026年全球半导体设备销售额达1659亿美元，增长23.2%。在此背景下，长鑫与长江存储的扩产逻辑清晰：先以成熟制程保障基础供应，再通过持续研发追赶先进节点。

高启全还指出一个关键现实：即便地缘政治紧张，美国政府也难以全面阻断终端客户向中国大陆采购。当市场出现短缺时，国际客户仍将基于供应链安全与成本考量，选择包括长鑫在内的中国供应商。“这不是政治意愿问题，而是商业理性选择”，他直言。

从产业演进看，中国存储企业正经历从“产能追赶”到“技术输出”的关键跃迁。长鑫虽尚未进入HBM高端赛道，但其在DDR/LPDDR主流市场的快速渗透，已实质性改变全球供应格局；长江存储则通过Xtacking架构实现技术反向授权，成为全球NAND生态中不可忽视的一极。

未来两年将是检验期。若长鑫能在2028年前完成HBM4量产并打入AI服务器供应链，其全球地位将进一步巩固；反之，若产能释放过快而需求不及预期，价格战或提前到来。正如高启全所言：“市场不会永远慷慨，产能终将回归理性。”