台积电加码美国2nm投资,追加1000亿美元建四座新厂
半导体行业巨头台积电(TSMC)近日宣布了一项重大投资计划,将进一步加码其在美国亚利桑那州的产能布局。根据最新财报信息,台积电董事长兼总裁魏哲家在季度业绩电话会议上透露,公司将向位于美国亚利桑那州的项...
半导体行业巨头台积电(TSMC)近日宣布了一项重大投资计划,将进一步加码其在美国亚利桑那州的产能布局。根据最新财报信息,台积电董事长兼总裁魏哲家在季度业绩电话会议上透露,公司将向位于美国亚利桑那州的项目追加1000亿美元投资,用于建造四座全新的半导体制造设施。
这一投资决定使得台积电在亚利桑那州的总投资额已达到2650亿美元,涵盖10座晶圆厂、2座先进封装厂以及一个主要的研发中心。台积电最早于2019年在此地启动了Fab 21项目,随后分别在2022年初和今年进行了两次追加投资,逐步扩大了在当地的投资规模。
此次追加投资的核心目标是支持2nm制程节点的量产,并同步推进先进封装和测试设施的建设。台积电表示,随着全球对高性能计算和人工智能芯片需求的持续增长,特别是数据中心、自动驾驶和移动设备等领域对先进制程的需求激增,公司必须加速推进下一代半导体技术的商业化进程。
值得注意的是,台积电正在积极升级其现有生产线,计划将部分5nm生产线改造为3nm制程,以进一步扩大高端产能。过去,台积电通常在达到目标产能后便停止增产,但鉴于当前AI芯片市场的旺盛需求,公司决定采取例外措施,优先满足客户对3nm制程的迫切需求。
与此同时,台积电的2nm工艺发展也取得了显著进展。据Wccftech报道,在宣布量产仅两个季度后,2nm工艺已经开始为台积电贡献收入,占比达到3%。目前,2nm工艺的月产量已提升至14万晶圆,接近3nm工艺在2025年末的极限水平(16万片/月)。台积电在2nm制程节点首发的是N2工艺,采用第一代奈米片(Nanosheet)晶体管技术,预计将在2027年推出性能提升5%的N2P工艺,并在2028年推出拥有更高FMAX电压的N2X和N2U工艺。
此外,台积电还在积极推进其他地区的产能扩张计划。在中国台湾地区,公司共有13座晶圆厂及先进封装和测试设施正在建设中。在日本九州岛熊本县,第二座工厂预计将于2028年进入量产阶段,进一步完善其全球产能布局。
分析人士指出,台积电此次大规模投资不仅反映了公司对未来半导体市场增长的信心,也凸显了其在全球供应链中的核心地位。特别是在中美科技竞争加剧的背景下,台积电通过在美国本土加大投资,既能够更好地服务北美客户,也能有效规避潜在的地缘政治风险。