蔡司高管预测，中国15年内或造出EUV光刻机，DUV追赶速度更快

近日，全球领先的光刻机制造商ASML的光学元件独家供应商、德国蔡司集团半导体事业负责人Frank Rohmund在接受采访时表示，中国要开发出EUV（极紫外）光刻机大约还需要15年时间。这一预测引发了业界对中国芯片制造技术发展路径的广泛关注。

Rohmund指出，虽然中国在EUV光刻机领域的实际进展难以量化，但这是一个合理的推测。他同时坦言，中国的追赶速度可能会受到外部因素的影响，"制裁会把他们逼成‘技术疯子’"，暗示外部压力可能加速中国的技术突破。

然而，瑞银（UBS）最新发布的研究报告却给出了更为谨慎的评估。报告显示，中国在EUV光刻技术上的成熟度仅相当于ASML在2004年的水平，落后至少22年。瑞银分析师团队通过分析中国在光源、激光子系统等领域的专利申请活动得出结论，认为中国在未来10年内都难以开发出能够真正替代ASML尖端EUV设备的方案。

不过，在技术要求相对较低的浸润式DUV（深紫外）光刻机领域，中国的追赶速度明显更快。瑞银预计，中国有望在2至5年内具备浸润式DUV光刻机的大规模量产能力。值得注意的是，有消息人士称，国产EUV光刻机可以在2028年实现先进芯片生产，但外部评估认为量产可能要到2030年左右。

当前，全球唯一能生产EUV设备的ASML正面临一个现实困境：中国的追赶速度，可能比预想的更快。ASML预计2026年中国市场营收占比将从2025年的33%降至约20%。这意味着，随着中国本土芯片设备厂商的崛起，ASML在中国市场的份额正在逐步缩水。

在浸润式DUV光刻机领域，中国企业的表现同样值得关注。中微公司等国内厂商已经在该领域取得显著进展，而SK海力士、三星电子等存储芯片巨头也在积极布局相关设备。瑞银分析师认为，如果中国能在2至5年内实现DUV量产，那么荷兰目前最具实际影响力的出口管制工具可能逐渐失效。

值得注意的是，荷兰政府自2024年9月起已将部分浸润式DUV设备纳入出口许可管理。然而，若中国在短时间内实现DUV量产，这些出口限制措施的有效性将大打折扣。

展望未来，中国在芯片制造设备领域的追赶之路依然充满挑战。尽管在DUV光刻机领域取得了快速进展，但在EUV这种更高端的技术领域，中国仍需要克服巨大的技术壁垒。不过，正如蔡司高管所言，外部压力和制裁可能会加速中国的技术突破进程，使这一目标提前实现。