半导体/芯片

台积电Q3营收467亿美元创新高，3nm扩产加码背后是AI需求的理性释放

台积电2026年第三季度营收达467.2亿美元，同比增长50.9%，净利润7630.6亿新台币，毛利率66.4%。2nm收入占比升至8%，3nm维持33%高位；...

#台积电 #Q3 财报

2026年10月21日

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戴尔CEO预警内存短缺将加剧，AI服务器backlog高达950亿美元，新产能2029年才有望缓解

戴尔CEO迈克尔·戴尔指出，内存短缺问题在2027年将进一步恶化，公司积压的AI服务器订单达950亿美元，但受限于HBM与DRAM供应不足。新晶圆厂建设周期长达...

#AI数据中心 #DRAM

2026年10月21日

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IMEC中试平台为何能成全球标杆，每1欧元政府投入回报11.7欧元

比利时鲁汶的IMEC以中立身份构建全球最成功的芯片中试平台，吸引台积电、三星、英特尔共用试验线；其会员制模式与四十年稳定投入实现超高回报，但地缘政治正挑战其“半...

#英特尔 #三星

2026年10月21日

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晶圆厂如何赋予自主代理决策权？基于统计过程控制的授权机制解析

半导体制造中，自主代理能否修改工艺配方（recipe）取决于一套严谨的授权框架：权限按决策类别授予，并在控制图异常时自动撤销。该机制源于数十年成熟的统计过程控制...

#EDA #决策权

2026年10月21日

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三星提前锁定2027年HBM全部产能，DRAM七成订单已签，与台积电合作生产NVHBM基底芯片

三星电子通过长期供应协议锁定2027年全部高带宽内存（HBM）产能及约70%通用DRAM产能，应对AI驱动的内存需求激增；同时首次与台积电合作，采用3纳米工艺为...

#DRAM #HBM

2026年10月20日

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长鑫存储4F²架构量产落地，用垂直晶体管与混合键合绕开EUV封锁

长鑫存储通过自研4F²架构与VSG垂直晶体管，结合12英寸晶圆级混合键合工艺，在无EUV光刻机条件下实现DRAM密度提升30%–50%；已全球首发LPDDR6并...

#DRAM #长鑫存储

2026年10月20日

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英伟达BlueField-4STX服务器亮相OCP2026，面向上下文内存场景的高性价比单路平台

在OCP 2026大会上，英伟达推出BlueField-4 STX服务器方案，专为Context Memory（CMX）场景设计。该方案采用单Vera CPU架...

#NVIDIA #OCP 2026

2026年10月20日

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英伟达OOI共封装光学原型亮相，单光纤256Gb/s带宽突破传统CPO瓶颈

英伟达在SEMICON West 2026展示下一代OOI（中介层上集成光学）原型，通过将光引擎直接集成至硅中介层、取消有机基板，显著缩短电信号路径；结合DWD...

#英伟达 #CPO

2026年10月20日

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ChipAgents推出IC-Star引擎，以智能体架构打通芯片设计全流程

硅谷初创公司 ChipAgents 宣布将其 agentic AI 平台扩展至数字与模拟芯片设计全流程，核心产品 IC-Star 引擎整合设计知识、智能体编排与...

#芯片设计 #AI 验证

2026年10月20日

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众星微全栈自研互连芯片出货80万颗，覆盖PCIeSwitch与高性能网卡

无锡众星微系统技术有限公司历时六年完成高端互连芯片全栈自研，已量产12款芯片并推出3款新品，累计出货80万颗，其中PCIe Switch超30万颗、高性能网卡超...

#哲源科技 #国产互连芯片

2026年10月19日

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长鑫存储发布4F²DDR5RDIMM，中国DRAM技术突破冲击韩系垄断格局

长鑫存储宣布年底量产基于4F²架构的DDR5 RDIMM产品，采用自研VSG垂直环绕栅极晶体管技术，已积累超300件相关专利。此举引发资本市场对三星、SK海力士...

#三星 #SK海力士

2026年10月19日

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西门子与英伟达合作加速光刻计算，Calibre集成cuLitho实现全芯片OPC12倍提速

西门子EDA与英伟达宣布将NVIDIA cuLitho库集成至Calibre制造软件，显著提升计算光刻效率。该方案针对先进AI芯片制造中的光学邻近效应校正（OP...

#NVIDIA #AI芯片

2026年10月19日

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